Нитрид галлия - кристаллический полупроводник, способный выдерживать более высокие напряжения. GaN-устройства имеют более высокую скорость переключения, более высокую теплопроводность, более низкое сопротивление включения и более высокую прочность при пробое. Технология GaN обеспечивает высокую плотность мощности и меньшую намагниченность.
Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC) - два широкополосных полупроводника, которые совершают революцию в традиционной силовой электронике. Технология GaN делает возможной быструю зарядку мобильных устройств.
Вся линейка зарядных устройств Gogadget - это самые компактные и высокотехнологичные зарядки на основе нитрида галия. Мы отобрали лучшие чтобы предложить их на рынок РФ и стран СНГ.
Основные свойства нитрида галлия
На основе материалов GaN изготавливается ряд широкополосных высокоэффективных силовых транзисторов и интегральных схем. В этих устройствах двумерный электронный газ (2DEG) образуется в результате деформации на границе раздела между кристаллом нитрида галлия и нитридом галлия алюминия (AlGaN). 2DEG помогает обеспечить высокую подвижность электронов, когда устройство подвергается воздействию электрического поля.
В не деформированном GaN подвижность электронов составляет около 1000 см2/Вс, а в области 2DEG она возрастает до 2000 см2/Вс. Именно высокая подвижность в материале GaN обеспечивает устройствам GaN более высокую скорость переключения, более высокую теплопроводность, более низкое сопротивление включения и более высокую прочность на пробой.
Механическая стабильность
Высокая прочность на разрыв
Высокая мощность
Быстрая скорость переключения
Высокая теплопроводность
Низкое сопротивление включения
Энергоэффективность
Технология нитрида галлия
Области применения нитрида галлия включают бытовую электронику, центры обработки данных, промышленные, автомобильные и возобновляемые источники энергии. Полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия обладают более высоким коэффициентом преобразования энергии, чем кремниевые и германиевые полупроводники. Устройства на основе нитрида галлия предпочитают использовать в полупроводниковой сфере из-за их небольших размеров и портативности.
Технология нитрида галлия используется для производства полупроводниковых силовых приборов, радиочастотных компонентов и светоизлучающих диодов (LED). Устройства на основе технологии GaN редко перегреваются, поэтому необходимость в системе терморегулирования не является сложной.
Технология нитрида галлия определенно находится на переднем крае разработки более мощных полупроводниковых устройств с меньшими потерями и более высоким КПД.
Нитрид галлия в сравнении с карбидом кремния
Технологические достижения в области нитрида галлия
Широкополосные материалы - будущее силовой электроники. Среди различных широкополосных материалов нитрид галлия обладает множеством преимуществ. Промышленность проводит передовые исследования, чтобы понять, как технология нитрида галлия может способствовать дальнейшему технологическому прогрессу. Разработаны различные устройства, такие как полевые транзисторы из нитрида галлия со встроенными драйверами, быстрые зарядные устройства из нитрида галлия, светоизлучающие диоды из нитрида галлия и устройства из нитрида галлия на кремнии.
По мере развития технологии нитрида галлия (GaN) высоковольтные системы будут становиться все более безопасными и надежными. Включая инструменты AWR и EM (электромагнитного) анализа EMX в уникальные решения для проектирования ВЧ-систем, Cadence дополняет существующие продукты и создает наиболее полный на рынке портфель продуктов для удовлетворения потребностей проектирования радиостанций следующего поколения 5G, автомобильных радаров и других ВЧ-продуктов.
Все наши зарядные устройства с использованием нитрида галлия!! и представлены они в шоуруме, где вы можете протестировать их перед покупкой. Будем раны видеть вас у нас по адресу : Санкт-Петербург, ТК Старая деревня (Торфяная дорога, дом 2, корпус 1), 3 этаж, секции 3.4-3.5 💡
Если у вас есть вопросы и пожелания, то пишите нам на WhatsApp: +79052006698
Email: info@gogadget.tech
